Samsung je na prahu představení své dlouho očekávané technologie V-NAND nové generace pro SSD disky. Zatímco nová technologie V-NAND bude mít 290 vrstev, což je střední nárůst oproti stávajícímu V-NAND s 236 vrstvami, skutečný význam spočívá v inovativní technice sestavování čipů od Samsungu.
Připravovaný 9. generace V-NAND bude využívat design „Double Stack“, kdy se dvě 145-vrstvé čipy spojí s vertikálními spoji. Tento složitý výrobní proces vede k lepším výtěžkům ve srovnání s jediným 290-vrstvovým designem. I když se zdá, že počet vrstev na první pohled může být skromný, Samsungovy budoucí plány jsou ambiciózní.
S představením nové technologie „string stacking“ má Samsung za cíl držet krok se svým hlavním konkurentem, SK Hynix. Pro 10. generaci V-NAND plánuje Samsung sestavit tři 145-vrstvé čipy, což povede k ohromujícímu 430-vrstvému NAND do konce roku 2025. Tento pokrok je klíčový pro uspokojení rostoucí poptávky po paměti a úložišti díky vzestupu umělé inteligence a velkých jazykových modelů.
Ačkoliv je výkon nepochybně důležitý, Samsung klade větší důraz na výtěžnost a hustotu. Společnost se zaměřuje na QLC NAND místo TLC, protože si klade za cíl snížit náklady na řešení úložišť na úrovni datových center. Tento strategický krok souzní s úsilím odvětví o zvýšení plošné hustoty a výkonu pro NAND flash.
Vize Samsungu nekončí u 430-vrstvého NAND. Společnost představuje budoucnost, kde budou SSD disky disponovat pozoruhodným designem se 1 000 vrstvami do roku 2030. Tento ambiciózní cíl ukazuje na Samsungovu angažovanost v tlačení hranic inovace a upevňování své pozice jako lídra na trhu s SSD disky.
Jak se Samsung připravuje na oznámení své technologie V-NAND nové generace, průmysl netrpělivě očekává dopad, který bude mít na schopnosti úložiště a celkový výkon. S neustálými pokroky na obzoru se úložné prostředí chystá vyvíjet, což umožní novou éru výpočetních možností.
Průmysl SSD je velmi konkurenční, a klíčoví hráči jako Samsung a SK Hynix neustále posouvají hranice inovace. Předpovědi trhu naznačují rostoucí poptávku po řešeních pro paměť a úložiště, které je poháněna rostoucími technologiemi, jako jsou umělá inteligence a velké jazykové modely. Jak se datově náročné aplikace stávají běžnějšími, potřeba vyšší kapacity a rychlejšího úložiště je klíčová.
Strategický důraz Samsungu na výnosy a hustotu je v souladu s trendy odvětví. Prioritizací QLC NAND před TLC si společnost klade za cíl snížit náklady na řešení úložišť na úrovni datových center. Tento posun směrem k vyšší hustotě úložiště je v souladu s úsilím odvětví o zvýšení plošné hustoty a výkonu pro NAND flash.
S ohledem do budoucna má Samsung ambiciózní plány pro další rozvoj své technologie V-NAND. Společnost si představuje pozoruhodný design se 1 000 vrstvami pro SSD disky do roku 2030, což ukazuje na její závazek k inovaci a utvrzení její pozice jako lídra na trhu s SSD disky.
Jak průmysl netrpělivě očekává oznámení technologie V-NAND nové generace od Samsungu, stává se předpovídání dopadu, který bude mít na schopnosti úložiště a celkový výkon, stále naléhavější. Neustálé inovace na trhu SSD mají změnit úložný prostor, otevírají nové možnosti pro výpočetní a datově náročné aplikace.
Pro další informace o průmyslu SSD a odhadech trhu můžete navštívit MarketsandMarkets nebo Transparency Market Research.