Samsung sta per introdurre la sua altamente attesa tecnologia V-NAND di prossima generazione per gli SSD. Mentre la nuova tecnologia V-NAND presenterà 290 strati, un aumento moderato rispetto ai 236 strati del V-NAND esistente, l’importanza reale si trova nella tecnica di impilamento di matrici innovativa di Samsung.
Il prossimo V-NAND di 9a generazione utilizzerà un design “Double Stack”, combinando due matrici da 145 strati con interconnessioni verticali. Questo processo di produzione intricato porta a rese migliorate rispetto a un design singolo di 290 strati. Anche se l’aumento iniziale del conteggio degli strati può sembrare modesto, i piani futuri di Samsung sono più ambiziosi.
Con l’introduzione della nuova tecnologia di “string stacking”, Samsung punta a tenere il passo con il suo principale concorrente, SK Hynix. Per il V-NAND di 10a generazione, Samsung prevede di impilare tre matrici da 145 strati, risultando in un incredibile NAND da 430 strati entro la fine del 2025. Questo progresso è cruciale per soddisfare la crescente domanda di memoria e storage guidata dalla crescita dell’intelligenza artificiale e dei modelli di lingua.
Anche se le prestazioni sono indubbiamente importanti, Samsung sta ponendo un maggiore focus sulle rese e sulla densità. L’azienda sta dirigendo la sua attenzione verso il QLC NAND anziché il TLC, poiché mira a ridurre i costi per le soluzioni di storage a livello di data center. Questa mossa strategica si allinea con la ricerca dell’industria per aumentare la densità areale e le prestazioni del flash NAND.
La visione di Samsung non si ferma a 430 strati di NAND. L’azienda immagina un futuro in cui gli SSD presenteranno un design straordinario di 1.000 strati entro il 2030. Questo obiettivo ambizioso dimostra l’impegno di Samsung nel superare i limiti dell’innovazione e nel consolidare la sua posizione di leader nel mercato degli SSD.
Mentre Samsung si prepara ad annunciare la sua tecnologia V-NAND di prossima generazione, l’industria attende con ansia l’impatto che avrà sulle capacità di storage e sulle prestazioni complessive. Con continui avanzamenti in arrivo, il panorama dello storage è destinato a evolversi, consentendo una nuova era di possibilità di calcolo.
Il settore degli SSD è altamente competitivo, con attori chiave come Samsung e SK Hynix che spingono costantemente i limiti dell’innovazione. L’introduzione della prossima tecnologia V-NAND di 9a generazione di Samsung, con un design a doppio stack, si prevede abbia un impatto significativo sull’industria.
Le previsioni di mercato indicano una crescente domanda di soluzioni di memoria e storage, guidata da tecnologie emergenti come l’intelligenza artificiale e i grandi modelli di lingua. Mentre le applicazioni intensive di dati diventano più comuni, la necessità di capacità di archiviazione più elevate e più veloci diventa cruciale.
Il focus strategico di Samsung su rese e densità è in linea con le tendenze dell’industria. Priorizzando il QLC NAND rispetto al TLC, l’azienda mira a ridurre i costi per le soluzioni di storage a livello di data center. Questo spostamento verso lo storage a maggiore densità si allinea con la ricerca dell’industria per aumentare la densità areale e le prestazioni del flash NAND.
Guardando al futuro, Samsung ha piani ambiziosi per potenziare ulteriormente la sua tecnologia V-NAND. L’azienda immagina un sorprendente design a 1.000 strati per gli SSD entro il 2030, dimostrando il suo impegno per l’innovazione e il consolidamento della sua posizione di leader nel mercato degli SSD.
Mentre l’industria attende con ansia l’annuncio della prossima tecnologia V-NAND di Samsung, c’è anticipazione sull’impatto che avrà sulle capacità di storage e sulle prestazioni complessive. Gli avanzamenti continui nel mercato degli SSD stanno per plasmare il panorama dello storage, aprendo nuove possibilità per il calcolo e le applicazioni intensive di dati.
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