A Samsung está prestes a introduzir sua altamente esperada tecnologia V-NAND de última geração para SSDs. Enquanto a nova tecnologia V-NAND contará com 290 camadas, um aumento moderado em relação às atuais 236 camadas do V-NAND, a real importância está na inovadora técnica de empilhamento de matrizes da Samsung.
O próximo V-NAND da 9ª geração utilizará um design de “Double Stack”, combinando dois matrizes de 145 camadas com interconexões verticais. Esse processo de fabricação intricado resulta em rendimentos melhorados em comparação com um design de 290 camadas único. Embora o aumento inicial no número de camadas possa parecer modesto, os planos futuros da Samsung são mais ambiciosos.
Com a introdução da nova tecnologia de “string stacking”, a Samsung tem como objetivo manter o ritmo de seu principal concorrente, a SK Hynix. Para o V-NAND da 10ª geração, a Samsung planeja empilhar três matrizes de 145 camadas, resultando em um impressionante NAND de 430 camadas até o final de 2025. Esse avanço é crucial para atender à crescente demanda por memória e armazenamento impulsionada pelo aumento da inteligência artificial e de grandes modelos de linguagem.
Embora o desempenho seja sem dúvida importante, a Samsung está dando maior foco aos rendimentos e à densidade. A empresa está direcionando sua atenção para o NAND QLC em vez do TLC, com o objetivo de reduzir os custos para soluções de armazenamento em nível de data center. Essa movimentação estratégica está alinhada com a busca da indústria por aumentar a densidade areal e o desempenho para NAND flash.
A visão da Samsung não se limita ao NAND de 430 camadas. A empresa vislumbra um futuro em que os SSDs apresentem um design notável de 1.000 camadas até 2030. Esse objetivo ambicioso demonstra o compromisso da Samsung em ultrapassar os limites da inovação e solidificar sua posição como líder no mercado de SSDs.
Enquanto a Samsung se prepara para anunciar sua tecnologia V-NAND de próxima geração, a indústria aguarda ansiosamente o impacto que terá nas capacidades de armazenamento e no desempenho geral. Com avanços contínuos à vista, o cenário de armazenamento está se preparando para evoluir, possibilitando uma nova era de possibilidades computacionais.
A indústria de SSDs é altamente competitiva, com grandes players como a Samsung e a SK Hynix constantemente ultrapassando os limites da inovação. A introdução da próxima tecnologia V-NAND da 9ª geração da Samsung, com um design de duplo empilhamento, é esperada ter um impacto significativo na indústria.
As previsões de mercado indicam uma demanda crescente por soluções de memória e armazenamento, impulsionada por tecnologias emergentes como inteligência artificial e grandes modelos de linguagem. Conforme as aplicações intensivas em dados se tornam mais comuns, a necessidade de capacidade mais alta e armazenamento mais rápido se torna crucial.
O foco estratégico da Samsung em rendimentos e densidade está alinhado com as tendências da indústria. Ao priorizar o NAND QLC em vez do TLC, a empresa tem como objetivo reduzir os custos para soluções de armazenamento em nível de data center. Essa mudança em direção ao armazenamento de alta densidade se alinha com a busca da indústria por aumentar a densidade areal e o desempenho para NAND flash.
Olhando para o futuro, a Samsung tem planos ambiciosos para aprimorar ainda mais sua tecnologia V-NAND. A empresa vislumbra um design notável de 1.000 camadas para SSDs até 2030, demonstrando seu compromisso com a inovação e solidificando sua posição como líder no mercado de SSDs.
Enquanto a indústria aguarda ansiosamente o anúncio da próxima tecnologia V-NAND da Samsung, há expectativa sobre o impacto que terá nas capacidades de armazenamento e no desempenho geral. Os avanços contínuos no mercado de SSDs estão prontos para remodelar o cenário de armazenamento, abrindo novas possibilidades para computação e aplicações intensivas em dados.
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