Samsung jest na progu wprowadzenia swojej bardzo oczekiwanej technologii nowej generacji V-NAND dla dysków SSD. Choć nowa technologia V-NAND będzie miała 290 warstw, to umiarkowany wzrost w porównaniu z obecnym V-NAND z 236 warstwami, prawdziwe znaczenie leży w innowacyjnej technice stosowania matryc firmy Samsung.
Nadchodzący V-NAND 9. generacji będzie wykorzystywał projekt „Double Stack”, łącząc dwa układy po 145 warstw z pionowymi łączami. Ten skomplikowany proces produkcji daje lepsze wydajności w porównaniu z pojedynczym projektem z 290 warstwami. Chociaż początkowy wzrost liczby warstw może wydawać się skromny, plany przyszłościowe Samsunga są bardziej ambitne.
Wprowadzając nową technologię „string stacking”, Samsung zamierza dotrzymać kroku swojemu głównemu konkurentowi, SK Hynix. Dla 10. generacji V-NAND, Samsung planuje ułożyć trzy układy po 145 warstw, co da im imponujący 430-warstwowy NAND do końca 2025 roku. Ten postęp jest kluczowy dla sprostania rosnącemu zapotrzebowaniu na pamięć i nośniki pamięci wywołane wzrostem sztucznej inteligencji i dużymi modelami językowymi.
Choć wydajność jest niewątpliwie ważna, Samsung stawia większy nacisk na wydajność i gęstość. Firma przestawia swoją uwagę na układy QLC NAND zamiast TLC, gdyż dąży do obniżenia kosztów rozwiązań nośników pamięci na poziomie centrów danych. Ten strategiczny ruch wpisuje się w poszukiwanie przemysłu zwiększenia gęstości obszarowej i wydajności pamięci flash NAND.
Wizja Samsunga nie kończy się na 430-warstwowym układzie NAND. Firma wyobraża sobie przyszłość, w której dyski SSD będą miały imponujący projekt o 1 000 warstwach do 2030 roku. Ten ambitny cel demonstruje zaangażowanie Samsunga w przesuwanie granic innowacji i umocnienie swojej pozycji jako lidera na rynku dysków SSD.
W miarę jak Samsung przygotowuje się do ogłoszenia swojej technologii V-NAND nowej generacji, przemysł z niecierpliwością oczekuje potencjalnego wpływu, jaki będzie miała na możliwości przechowywania danych i ogólną wydajność. Z ciągłymi postępami na horyzoncie, krajobraz przechowywania danych jest ustawiony do ewolucji, umożliwiając nową erę możliwości obliczeniowych.
Przemysł dysków SSD jest bardzo konkurencyjny, a główni gracze, tak jak Samsung i SK Hynix, nieustannie posuwają granice innowacji. Wprowadzenie nadchodzącej technologii V-NAND 9. generacji firmy Samsung, która uwzględnia podwójny układ, ma znaczący wpływ na przemysł.
Prognozy rynkowe wskazują na rosnące zapotrzebowanie na rozwiązania pamięci i przechowywania danych, napędzane nowymi technologiami, takimi jak sztuczna inteligencja i duże modele językowe. W miarę jak zastosowania wymagające dużych zasobów danych stają się powszechne, potrzeba wyższej pojemności i szybszego przechowywania staje się kluczowa.
Strategiczne skupienie się Samsunga na wydajności i gęstości jest zgodne z trendami przemysłowymi. Poprzez priorytetyzowanie QLC NAND nad TLC, firma dąży do obniżenia kosztów rozwiązań nośników pamięci na poziomie centrów danych. Ten zwrot w kierunku wyższej gęstości przechowywania koresponduje z poszukiwaniami przemysłu zwiększenia gęstości obszarowej i wydajności pamięci flash NAND.
Patrząc w przyszłość, Samsung ma ambitne plany dalszego udoskonalenia swojej technologii V-NAND. Firma wyobraża sobie imponujący projekt o 1 000 warstwach dla dysków SSD do 2030 roku, co demonstruje jej zaangażowanie w innowację i umocnienie pozycji jako lidera na rynku dysków SSD.
W miarę jak przemysł z niecierpliwością oczekuje ogłoszenia technologii V-NAND nowej generacji firmy Samsung, istnieje anticipacja co do potencjalnego wpływu, jaki będzie miała na możliwości przechowywania danych i ogólną wydajność. Ciągłe postępy na rynku dysków SSD zmieniają krajobraz przechowywania danych, otwierając nowe możliwości dla obliczeń i aplikacji wymagających dużych zasobów danych.
Aby uzyskać więcej informacji na temat przemysłu dysków SSD i prognoz rynkowych, zapraszamy do odwiedzenia MarketsandMarkets lub Transparency Market Research.