Samsung está a punto de introducir su altamente esperada tecnología V-NAND de próxima generación para SSD. Si bien la nueva tecnología V-NAND contará con 290 capas, un aumento moderado desde sus actuales 236 capas de V-NAND, la verdadera importancia radica en la innovadora técnica de apilamiento de obleas de Samsung.
El próximo V-NAND de novena generación utilizará un diseño de «Doble Apilamiento», combinando dos obleas de 145 capas con interconexiones verticales. Este intrincado proceso de fabricación resulta en un aumento en la producción en comparación con un diseño de 290 capas singular. Aunque el aumento inicial en el recuento de capas puede parecer modesto, los planes futuros de Samsung son más ambiciosos.
Con la introducción de la nueva tecnología de «apilamiento de cadenas», Samsung tiene como objetivo mantener el ritmo con su principal competidor, SK Hynix. Para la 10ma generación de V-NAND, Samsung planea apilar tres obleas de 145 capas, lo que resultará en un asombroso NAND de 430 capas hacia finales de 2025. Este avance es crucial para satisfacer la creciente demanda de memoria y almacenamiento impulsada por el auge de la inteligencia artificial y los grandes modelos de lenguaje.
Si bien el rendimiento es sin duda importante, Samsung está poniendo un mayor enfoque en la producción y densidad. La compañía está centrando su atención en el NAND QLC en lugar del TLC, ya que apunta a reducir costos para soluciones de almacenamiento a nivel de centro de datos. Este movimiento estratégico se alinea con la búsqueda de la industria para aumentar la densidad areal y el rendimiento para NAND flash.
La visión de Samsung no se detiene en el NAND de 430 capas. La compañía visualiza un futuro donde los SSD cuenten con un notable diseño de 1,000 capas para el año 2030. Este ambicioso objetivo demuestra el compromiso de Samsung para empujar los límites de la innovación y solidificar su posición como líder en el mercado de SSD.
A medida que Samsung se prepara para anunciar su tecnología V-NAND de próxima generación, la industria anticipa con entusiasmo el impacto que tendrá en las capacidades de almacenamiento y el rendimiento general. Con continuos avances en el horizonte, el panorama de almacenamiento está listo para evolucionar, permitiendo una nueva era de posibilidades informáticas.
La industria de los SSD es altamente competitiva, con actores clave como Samsung y SK Hynix constantemente empujando los límites de la innovación. Se espera que la introducción de la próxima tecnología V-NAND de novena generación de Samsung, con un diseño de doble apilamiento, tenga un impacto significativo en la industria.
Las previsiones del mercado indican una creciente demanda de soluciones de memoria y almacenamiento, impulsada por tecnologías emergentes como la inteligencia artificial y los grandes modelos de lenguaje. A medida que las aplicaciones intensivas en datos se vuelven más comunes, la necesidad de capacidad de almacenamiento más alta y más rápida se vuelve crucial.
El enfoque estratégico de Samsung en la producción y densidad está en línea con las tendencias de la industria. Al priorizar el NAND QLC sobre el TLC, la compañía apunta a reducir costos para soluciones de almacenamiento a nivel de centro de datos. Este cambio hacia un almacenamiento de mayor densidad se alinea con la búsqueda de la industria para aumentar la densidad areal y el rendimiento para NAND flash.
Mirando hacia el futuro, Samsung tiene planes ambiciosos para mejorar aún más su tecnología V-NAND. La compañía visualiza un notable diseño de 1,000 capas para SSDs para el año 2030, demostrando su compromiso con la innovación y solidificando su posición como líder en el mercado de SSD.
A medida que la industria espera con anticipación el anuncio de la tecnología V-NAND de próxima generación de Samsung, hay expectativas sobre el impacto que tendrá en las capacidades de almacenamiento y el rendimiento general. Los continuos avances en el mercado de SSD están listos para remodelar el panorama de almacenamiento, abriendo nuevas posibilidades para aplicaciones informáticas e intensivas en datos.
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