삼성은 SSD를 위한 매우 기대되는 차세대 V-NAND 기술을 발표할 준비를 하고 있습니다. 새로운 V-NAND 기술은 디자인에서 현재의 236층 V-NAND에서 290층으로 증가하겠지만, 실질적인 중요성은 삼성의 혁신적인 다이 스택 테크닉에 있습니다.
다가오는 9세대 V-NAND는 “더블 스택” 디자인을 활용하여 두 개의 145층 다이를 수직 인터커넥트와 결합합니다. 이 복잡한 제조 공정은 단일 290층 디자인과 비교하여 개선된 수율을 가져옵니다. 초기적인 층 증가가 겸사이라고 보일 수 있지만, 삼성의 미래 계획은 더욱 야심찬 것입니다.
새로운 “스트링 스택” 기술을 도입함으로써, 삼성은 주요 경쟁사인 SK하이닉스와 맞먹기 위해 노력하고 있습니다. 10세대 V-NAND에서 삼성은 세 개의 145층 다이를 스택하여, 2025년 말까지의 430층 NAND를 목표로 하고 있습니다. 이 발전은 인공지능 및 대형 언어 모델의 증가로 인해 증가하는 메모리 및 저장 장치 수요를 충족하는 데 중요합니다.
성능은 의심의 여지없이 중요하지만, 삼성은 수율과 밀도에 더욱 집중하고 있습니다. 회사는 기존 TLC 대신 QLC NAND에 관심을 기울이고 있으며, 정보센터급 저장 솔루션의 비용을 줄이기 위해 노력하고 있습니다. 이 전략적인 움직임은 NAND 플래시의 면적 밀도와 성능을 높이기 위한 산업의 노력과 일치합니다.
삼성의 비전은 430층 NAND에서 머물지 않습니다. 회사는 2030년까지 놀라운 1,000층 디자인을 갖춘 SSD의 미래를 상상하고 있습니다. 이 야심찬 목표는 삼성이 혁신의 한계를 넓히고 SSD 시장에서 지도자로 자리매김하기 위한 것을 보여줍니다.
삼성이 차세대 V-NAND 기술을 발표하기에 앞서, 업계는 저장 능력과 전반적인 성능에 미칠 영향에 대한 기대를 하고 있습니다. 계속되는 발전으로 인해 저장장치의 풍경이 바뀌며, 새로운 컴퓨팅 가능성이 열릴 것으로 기대됩니다.
SSD 산업은 삼성과 SK하이닉스와 같은 주요 플레이어들이 지속적으로 혁신의 한계를 뛰어넘는 고도 경쟁을 하고 있습니다. 더블 스택 디자인을 특징으로 하는 삼성의 다가오는 9세대 V-NAND 기술의 도입은 산업에 상당한 영향을 미칠 것으로 예상됩니다.
시장 예측은 인공지능 및 대형언어모델과 같은 신기술에 의해 촉진되는 메모리 및 저장 솔루션에 대한 수요가 증가할 것으로 나타났습니다. 데이터 중심 어플리케이션이 보편화됨에 따라 더 높은 용량과 더 빠른 저장 장치의 필요성은 중요해졌습니다.
삼성의 수율 및 밀도에 대한 전략적인 초점은 산업 트렌드와 일치합니다. TLC 대신 QLC NAND를 우선순위로 설정함으로써, 회사는 정보센터급 저장 솔루션의 비용을 줄이려고 하고 있습니다. 이 높은 밀도 저장으로의 이동은 NAND 플래시의 면적 밀도와 성능을 높이기 위한 산업의 노력과 일치합니다.
미래를 내다보면, 삼성은 V-NAND 기술을 더 개선하기 위한 야심찬 계획을 가지고 있습니다. 회사는 2030년까지 SSD에 1,000층 디자인을 갖추기 위한 놀라운 계획을 세우고 있으며, 혁신에 대한 의지를 보여주고 SSD 시장에서 지도자로서의 위치를 굳히고 있습니다.
업계가 삼성의 차세대 V-NAND 기술 발표를 기다리는 동안, 저장 능력과 전반적인 성능에 미칠 영향에 대한 기대가 높습니다. SSD 시장의 지속적인 발전은 저장 풍경을 재구성하고, 컴퓨팅 및 데이터 중심 어플리케이션의 새로운 가능성을 열어줄 것입니다.
SSD 산업 및 시장 예측에 대한 자세한 정보는 MarketsandMarkets 또는 Transparency Market Research를 방문하시기 바랍니다.