Η Samsung, μια προηγμένη τεχνολογική εταιρεία, φέρεται να ερευνά τη χρήση του υπογεμίσματος με μονώδη υλικό με επικάλυψη (μοlded underfill – MUF) στα επερχόμενα προϊόντα DRAM της. Ενώ στο παρελθόν η μέθοδος του θερμικού συμπιεσμού μη αγώγιμης μεμβράνης (thermal compression non-conductive film – TC NCF) αποτελούσε την προτιμώμενη μέθοδο, η Samsung πραγματοποίησε δοκιμές χρησιμοποιώντας μια διαδικασία μονώδους υπογεμίσματος με μαζική αποπήδηση (mass reflow – MR MUF) στη μνήμη τριών διαστάσεων (3-dimensional stack – 3DS), αποκαλύπτοντας δυνητικά πλεονεκτήματα όσον αφορά τη βελτιστοποίηση της επίδοσης.
Σύμφωνα με πηγές, η διαδικασία MUF έδειξε μεγαλύτερη επίδοση σε σχέση με την TC NCF. Ωστόσο, τα φυσικά χαρακτηριστικά των τσιπ εμφάνισαν μια κάποια επιδείνωση κατά τη φάση των δοκιμών. Επομένως, η Samsung έχει καταλήξει στο συμπέρασμα ότι το MUF ενδέχεται να μην είναι κατάλληλο για την υψηλής εύρους ζώνης μνήμη (high bandwidth memory – HBM), αλλά θα μπορούσε να είναι βέλτιστο για τις εγγεγραμμένες διπλού σειράς μονάδες μνήμης τριών διαστάσεων (3DS registered dual in-line memory modules – RDIMM) που χρησιμοποιούνται σε εφαρμογές διακομιστή.
Το MUF, ένα εποξικό υλικό με επικάλυψη, έχει κερδίσει την προσοχή στη βιομηχανία των τσιπ μετά την επιτυχή χρήση του από την SK Hynix στην παραγωγή της HBM. Η Samsung εργάζεται ενεργά για την ανάπτυξη του δικού της εποξικού υλικού με επικάλυψη σε συνεργασία με την Samsung SDI. Επιπλέον, η εταιρεία έχει ήδη τοποθετήσει παραγγελίες για τον απαιτούμενο εξοπλισμό που θα διευκολύνει τη χρήση του MUF.
Παρά τις προσπάθειες αυτές, αναμένεται ότι η Samsung θα συνεχίσει να χρησιμοποιεί την TC NCF στην παραγωγή της HBM, μια απόφαση που μοιράζεται και η Micron. Η TC NCF θεωρείται ευεργετική για τη μείωση της κάμψης των δίσκων(wafer warpage), καθιστώντας την την προτιμώμενη επιλογή σε συγκεκριμένα σενάρια.
Εξερευνώντας εναλλακτικές τεχνολογίες υπογεμίσματος, όπως το MUF, η Samsung συνεχίζει να προχωρά τα όρια της ανάπτυξης των DRAM, επιδιώκοντας να βελτιώσει την απόδοση και την αποτελεσματικότητα των μελλοντικών προϊόντων της. Καθώς η βιομηχανία ημιαγωγών προχωρά, καινοτόμες λύσεις όπως αυτές αναμφίβολα θα διαδραματίσουν κρίσιμο ρόλο στο σχεδιασμό της μελλοντικής τεχνολογίας μνήμης.
Συχνές ερωτήσεις (FAQ):
Ε: Τι ερευνά η Samsung στα επερχόμενα προϊόντα DRAM της;
Α: Η Samsung αναφέρεται να ερευνά τη χρήση του μονώδους υπογεμίσματος με επικάλυψη (MUF) στα επερχόμενα προϊόντα της DRAM.
Ε: Ποια ήταν η προτιμώμενη μέθοδος στο παρελθόν;
Α: Το θερμικός συμπίεσμος μη αγώγιμης μεμβράνης (TC NCF) ήταν η προτιμώμενη μέθοδος στο παρελθόν.
Ε: Ποια πλεονεκτήματα έχει επιδείξει η διαδικασία MUF;
Α: Η διαδικασία MUF έχει επιδείξει δυνητικά πλεονεκτήματα όσον αφορά τη βελτιστοποίηση της επίδοσης σε σύγκριση με τη TC NCF.
Ε: Τι έχει καταλήξει η Samsung για το MUF στην μνήμη υψηλής εύρους ζώνης (HBM);
Α: Η Samsung έχει καταλήξει στο συμπέρασμα ότι το MUF ενδέχεται να μην είναι κατάλληλο για τη μνήμη υψηλής εύρους ζώνης (HBM), αλλά θα μπορούσε να είναι βέλτιστο για τις εγγεγραμμένες διπλού σειράς μονάδες μνήμης τριών διαστάσεων (RDIMM) που χρησιμοποιούνται σε εφαρμογές διακομιστή.
Ε: Τι σημαίνει το MUF;
Α: Το MUF είναι το αρκτικόνυμο του “epoxy molding compound” (εποξικό υλικό με επικάλυψη), που έχει κερδίσει την προσοχή στη βιομηχανία της παραγωγής τσιπ.
Ε: Ποια εταιρεία επιτυγχάνει επιτυχημένα την παραγωγή της HBM με MUF;
Α: Η SK Hynix επιτυγχάνει επιτυχημένα την παραγωγή της HBM με MUF.
Ε: Με ποια εταιρεία συνεργάζεται η Samsung για την ανάπτυξη του δικού της εποξικού υλικού με επικάλυψη;
Α: Η Samsung συνεργάζεται με τη Samsung SDI για την ανάπτυξη του δικού της εποξικού υλικού με επικάλυψη.
Ε: Ποια τεχνολογία υπογεμίσματος θα συνεχίσει να χρησιμοποιεί η Samsung στην παραγωγή της HBM;
Α: Η Samsung θα συνεχίσει να χρησιμοποιεί την TC NCF στην παραγωγή της HBM, μια απόφαση που μοιράζεται και η Micron.
Ε: Τι βοηθάει η TC NCF να μειωθεί;
Α: Η TC NCF θεωρείται ευεργετική για τη μείωση της κάμψης των δίσκων (wafer warpage) σε συγκεκριμένα σενάρια.
Ε: Γιατί η Samsung εξερευνά εναλλακτικές τεχνολογίες υπογεμίσματος;
Α: Η Samsung εξερευνά εναλλακτικές τεχνολογίες υπογεμίσματος για να προχωρήσει τα όρια της ανάπτυξης των DRAM και να βελτιώσει την απόδοση και την αποτελεσματικότητα των μελλοντικών προϊόντων της.
Ορισμοί:
Thermal Compression Non-Conductive Film (TC NCF): Μια μέθοδος που χρησιμοποιείται στο παρελθόν για το υπόθεση των προϊόντων DRAM, βοηθώντας στη μείωση της κάμψης των δίσκων (wafer warpage).
Molded Underfill (MUF): Ένα εποξικό υλικό με επικάλυψη που έχει αποκτήσει προσοχή στη βιομηχανία των τσιπ μελέτη την πιθανότητα βελτιστοποίησης της επίδοσης.
Μνήμη τριών διαστάσεων (3-dimensional stack – 3DS): Ένας τύπος μνήμης που στοιβάζεται σε τρεις διαστάσεις, αυξάνοντας την αποθηκευτική χωρητικότητα.
Εγγεγραμμένες διπλού σειράς μονάδες μνήμης τριών διαστάσεων (RDIMM): Μονάδες μνήμης που χρησιμοποιούνται σε εφαρμογές διακομιστή.
Προτεινόμενοι σχετικοί σύνδεσμοι προς τον κύριο ιστότοπο:
– Samsung: Επίσημη ιστοσελίδα της Samsung.
– SK Hynix: Επίσημη ιστοσελίδα της SK Hynix, μιας εταιρείας που επιτυγχάνει με επιτυχία την παραγωγή της HBM με MUF.
– Micron: Επίσημη ιστοσελίδα της Micron, μιας εταιρείας που επίσης χρησιμοποιεί την TC NCF στην παραγωγή της HBM.
The source of the article is from the blog mendozaextremo.com.ar