Η Samsung αποκάλυψε τις καινοτόμες μνήμες της HBM3e, σηματοδοτώντας έναν σημαντικό ορόσημο στη βιομηχανία. Η εταιρεία κατάφερε επιτυχώς την ανάπτυξη των νέων μνημών HBM3e με χωρητικότητα 36GB ανά στοίβα, σημειώνοντας έτσι νέα πρότυπα τόσο σε χωρητικότητα όσο και σε απόδοση. Με αυτήν την εκπληκτική επίτευξη, η Samsung είναι έτοιμη να κατακτήσει την αγορά της τεχνολογίας HBM υψηλής χωρητικότητας κατά την εποχή της τεχνητής νοημοσύνης.
Η πιο πρόσφατη προσθήκη στη γκάμα των προϊόντων μνήμης της Samsung, με κωδική ονομασία Shinebolt, ενσωματώνει 12 x 24Gb μνήμες σε μια λογική μονάδα με 1024-bit διασύνδεση μνήμης. Αυτές οι μνήμες HBM3e χωρητικότητας 36GB λειτουργούν σε έναν εκπληκτικό ρυθμό μεταφοράς 10GT/s, προσφέροντας μια εξαιρετική εύρος μνήμης έως και 1.28TB/sec ανά στοίβα. Αυτό θέτει ένα νέο πρότυπο για το εύρος μνήμης ανά συσκευή στη βιομηχανία.
Ο Yongcheol Bae, Αντιπρόεδρος της Samsung Electronics στον τομέα του σχεδιασμού προϊόντων μνήμης, εξέφρασε τη σημασία αυτής της καινοτομίας: “Οι πάροχοι υπηρεσιών τεχνητής νοημοσύνης στη βιομηχανία ζητούν όλο και περισσότερη μνήμη HBM υψηλής χωρητικότητας και το νέο μας προϊόν HBM3e 12H είναι σχεδιασμένο για να ικανοποιήσει αυτήν την ανάγκη. Με τη δέσμευσή μας να αναπτύξουμε πρωτοποριακές τεχνολογίες για μνήμες HBM υψηλής χωρητικότητας, στοχεύουμε να κυριαρχήσουμε την αγορά της τεχνολογίας HBM κατά την εποχή της τεχνητής νοημοσύνης.”
Η Samsung έχει ενσωματώσει αρκετές προηγμένες τεχνολογίες στις μνήμες της Shinebolt HBM3e των 12-Hi χωρητικότητας 36GB. Αυτά τα προϊόντα μνήμης χρησιμοποιούν την πολυβραβευμένη 4ης γενιάς τεχνολογία κατασκευής σε 10nm-κλάσης (14nm) της Samsung, που χρησιμοποιεί λιθογραφία με άκρα υπεριώδους (EUV). Η εταιρεία έχει επίσης ενσωματώσει το υλικό μη αγώγιμης μη θερμικής συμπίεσης (TC NCF) προκειμένου να επιτύχει τη μικρότερη απόσταση μεταξύ των μνημών στα μόλις επτά μικρομέτρα (7 µm). Μειώνοντας τα κενά μεταξύ των μνημών DRAM, η Samsung επέτυχε αύξηση της κάθετης πυκνότητας και ελάχιστη παραμόρφωση των τσιπ.
Η εισαγωγή των μνημών HBM3e των 12-Hi χωρητικότητας 36GB αναμένεται να επανασχεδιάσει τη διαδικασία εκπαίδευσης της τεχνητής νοημοσύνης, προσφέροντας μια σημαντική βελτίωση της μέσης ταχύτητας έως και 34%. Επιπλέον, επιτρέπει μια εκπληκτική αύξηση κατά 11.5 φορές του αριθμού των ταυτόχρονων χρηστών για υπηρεσίες εκκαθάρισης. Ωστόσο, η εταιρεία δεν προέβη σε περαιτέρω αναφορές σχετικά με το μέγεθος του LLM.
Η Samsung ήδη έχει ξεκινήσει να διανέμει δείγματα των νέων μνημών HBM3e των 12-Hi χωρητικότητας 36GB στους πελάτες της και σχεδιάζει να ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή τους το πρώτο εξάμηνο του 2024. Αυτή η καινοτομία αναμένεται να ανασχεδιάσει την αγορά των υψηλής χωρητικότητας μνημών HBM και να ενδυναμώσει τη θέση της Samsung ως ηγέτιδα εταιρεία σε καινοτόμες λύσεις μνήμης.
FAQ:
1. Τι είναι η μνήμη HBM3e;
Η μνήμη HBM3e αναφέρεται στην τεχνολογία μνήμης υψηλής εύρους ζώνης που αναπτύχθηκε από τη Samsung. Είναι ένας τύπος μονάδας μνήμης που προσφέρει υψηλή χωρητικότητα και απόδοση, καθιστώντας τον ιδανικό για χρήση στην εποχή της τεχνητής νοημοσύνης.
2. Ποια είναι η χωρητικότητα των νέων μνημών HBM3e της Samsung;
Οι νέες μνήμες HBM3e της Samsung έχουν χωρητικότητα 36GB ανά στοίβα.
3. Ποιος είναι ο ρυθμός μεταφοράς των μνημών HBM3e της Samsung;
Οι μνήμες HBM3e λειτουργούν σε έναν εκπληκτικό ρυθμό μεταφοράς 10GT/s.
4. Ποια είναι η εύρος μνήμης των μνημών HBM3e της Samsung;
Οι μνήμες HBM3e προσφέρουν μια εξαιρετική εύρος μνήμης έως και 1.28TB/sec ανά στοίβα.
5. Ποιες τεχνολογίες ενσωματώνονται στις μνήμες HBM3e της Samsung;
Οι μνήμες HBM3e της Samsung χρησιμοποιούν την τεχνολογία κατασκευής της 4ης γενιάς σε 10nm-κλάσης της Samsung, που περιλαμβάνει λιθογραφία με άκρα υπεριώδους (EUV). Επίσης, ενσωματώνει την τεχνολογία μη αγώγιμης μη θερμικής συμπίεσης (TC NCF) προκειμένου να ελαχιστοποιήσει τα κενά μεταξύ των μνημών.
6. Πώς θα αναμορφώσει η εισαγωγή των μνημών HBM3e τη διαδικασία εκπαίδευσης της τεχνητής νοημοσύνης;
Οι μνήμες HBM3e αναμένεται να βελτιώσουν τη μέση ταχύτητα της διαδικασίας εκπαίδευσης της τεχνητής νοημοσύνης έως και 34%. Επιπλέον, επιτρέπουν μια σημαντική αύξηση του αριθμού των ταυτόχρονων χρηστών για υπηρεσίες εκκαθάρισης.
7. Πότε θα ξεκινήσει η μαζική παραγωγή των μνημών HBM3e από τη Samsung;
Η Samsung σχεδιάζει να ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή των μνημών HBM3e το πρώτο εξάμηνο του 2024.
Ορισμοί:
– HBM: High-Bandwidth Memory. Είναι ένας τύπος τεχνολογίας μνήμης που προσφέρει υψηλή εύρος ζώνης και απόδοση, συνήθως χρησιμοποιείται σε εφαρμογές που απαιτούν υψηλή ροή δεδομένων, όπως η τεχνητή νοημοσύνη και η επεξεργασία γραφικών.
– Τεχνητή νοημοσύνη (ΤΝ): Αναφέρεται στην προσομοίωση της ανθρώπινης νοημοσύνης σε μηχανές που προγραμματίζονται να σκέφτονται και να μαθαίνουν όπως οι άνθρωποι.
Προτεινόμενοι σχετικοί σύνδεσμοι:
– Samsung Semiconductor – DRAM
– Samsung Semiconductor
The source of the article is from the blog klikeri.rs