随着2024年国际固态电路大会的临近，三星计划推出一系列创新的内存产品。除了先前宣布的GDDR7内存之外，作为韩国科技巨头，三星还将展示一款极速的DDR5内存芯片。
实现高容量
利用12纳米工艺技术，三星研发出了一款32GB DDR5 DRAM芯片，容量是16GB DDR5 DRAM芯片的两倍，但封装尺寸相同。
降低功耗
尽管三星尚未提供关于即将在会议上展示的DDR5芯片的详细信息，但我们了解到DDR5芯片的I/O速度高达每针8000 Mbps，并采用了创新的Symmetric-Mosaic架构。这种架构是专为DRAM产品设计的三星第五代10纳米级制程工艺。
当新的DDR5产品在2023年末宣布推出时，三星电子DRAM产品和技术副总裁SangJoon Hwang表示：“借助我们的32GB 12纳米级DRAM，我们拥有一种解决方案，可以实现高达1TB容量的DRAM模块，完美满足人工智能和大数据时代对高容量DRAM的需求。通过采用差异化的工艺和设计技术，我们将继续开发DRAM解决方案，推动内存技术的发展边界。”
以前的128GB DDR5 DRAM模块采用16GB DRAM芯片，并需要采用Through Silicon Via (TSV)工艺。但是，根据三星的介绍，新的32GB DDR5 DRAM芯片使得无需TSV的128GB模块成为可能，从而功耗降低了约10%。对于目前在人工智能系统中面临能源需求增加的数据中心来说，这是一种最佳解决方案。
三星最新的DDR5技术可以制造在单通道配置下以DDR5-8000速度运行的32GB和48GB DIMM模块，还支持在双通道配置下的64GB和96GB DIMM模块。无疑，在会议期间我们将了解更多关于这款新内存的资讯。
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