Doorbraakonderzoek van het National GaN Technology Centre in Singapore herdefinieert de verwachtingen in de micro-elektronica. Dit innovatieve team heeft een opmerkelijke vooruitgang geboekt in gallium-nitride (GaN) op silicium (Si) high-electron-mobility transistors (HEMTs), waarmee een nieuw record voor verzadigd uitgangsvermogen (Psat) is neergezet.