삼성, 고성능 컴퓨팅용 1c DRAM으로 진화
삼성전자는 차세대 하이 밴드위드스 메모리(HBM4)를 위해 첨단 구성요소인 1c DRAM을 적극적으로 개발 중에 있습니다. 이 회사는 이전에 계획된 1b DRAM에서 더욱 섬세한 1c DRAM(고급 10나노급)으로 앰빼스 사양 업데이트를 고려하며, HBM4 제품의 성능 및 경쟁력을 크게 향상시키는 것을 목표로 하고 있습니다.
이러한 조치는 회사가 고성능 메모리 부문에서 경쟁사를 앞지르기 위한 전략적 노력의 일환으로 이루어졌습니다. 산업 전문가들은 삼성이 메모리 스택에서 덜 섬세한 DRAM 사용으로 인한 잠재적 전력 소비 문제에 대응하기 위해 개발 단계를 가속화하고 있는 것으로 설명했습니다.
작년 마무리 전에 1c DRAM 대량 생산을 시작하는 것을 대단한 목표로 삼은 삼성은 예상 출력량이 한 달 약 3,000개 정도인 규모로 생산을 시작할 계획이지만, HBM4의 생산 일정과 이러한 출력을 동시에 맞추는 것은 서로 밀접한 타임라인 때문에 어려운 과제입니다.
SK 하이닉스, 경쟁 압력 속에서 유사한 DRAM 전환을 고민 중
주요 경쟁사인 SK 하이닉스도 다가오는 HBM4 메모리 솔루션을 위해 1c DRAM으로의 전환이 가능성이 있는 지 고민 중에 있습니다. 이 회사는 TSMC와 협력하여 DRAM을 12층 또는 16층으로 쌓아 최첨단 프로세스 기술의 장점을 살리고자 하고 있습니다.
산업 관계자들은 현재 SK 하이닉스가 산업에서 선두를 달리고 있지만, 삼성의 적극적인 진보에 따라 상당한 압력을 받을 수도 있다고 강조하였습니다. SK 하이닉스에서는 HBM 개발을 위한 명확한 로드맵이 있으나, 1c DRAM을 통합하기 위한 변경 사항은 아직 내부적으로 확정되지 않았으며, 차세대 기억 기술의 지배권 경쟁에서 잠재적인 격차를 의미하는 것으로 보입니다.