Samsung Explores New Underfill Technology for Next-Gen DRAM

삼성은 선도 기술 회사로 알려진데, 앞으로 출시될 DRAM 제품에 형광 몰드 언더필(MUF) 사용에 대해 조사하고 있다고 전해졌다. 과거에는 열 압축 비전도 필름(Thermal Compression Non-Conductive Film, TC NCF)이 선호되는 방법이었지만, 삼성은 3차원 스택 (3DS) 메모리에 대해 대량 리플로우(Mass Reflow, MR) MUF 공정을 사용하여 테스트하였고, 이로부터 스루풋 최적화에서 잠재적인 이점을 발견하였다.

소식통에 따르면, MUF 공정은 TC NCF에 비해 더 높은 스루풋을 보여주었다고 한다. 그러나 칩의 물리적 특성은 테스트 단계에서 약간의 저하가 있었다. 결과적으로 삼성은 MUF가 고대역폭 메모리 (HBM)에는 적합하지 않을 수 있으며, 서버 응용 프로그램에 사용되는 3DS RDIMM에 최적일 수 있다고 판단하였다.

MUF는 에폭시 몰딩 컴파운드로써, SK Hynix가 HBM 생산에 성공한 이후로 칩 산업에서 주목받고 있다. 삼성은 현재 삼성 SDI와 함께 자체 MUF 컴파운드 개발에 주력하고 있다. 게다가, 기업은 이미 MUF의 적용을 위해 필요한 장비에 대한 주문을 모두 완료했다.

이러한 노력에도 불구하고 삼성은 HBM 생산에 TC NCF를 계속 사용할 것으로 예상된다. 이와 같은 결정은 Micron과도 공유된다. TC NCF는 웨이퍼 휘어짐을 최소화하는 것에서 이점을 가지고 있어 특정 상황에서 선호되는 선택이다.

MUF와 같은 대체 언더필 기술을 탐색함으로써 삼성은 DRAM 개발의 한계를 뛰어넘기 위해 노력하고 있으며, 미래 제품의 성능과 효율성을 향상시키기 위한 혁신적인 솔루션들이 반드시 메모리 기술의 미래를 형성하는 데 중요한 역할을 할 것이다.

자주 묻는 질문:

Q: 삼성은 앞으로 출시될 DRAM 제품에 대해 무엇을 조사하고 있나요?
A: 삼성은 앞으로 출시될 DRAM 제품에 형광 몰드 언더필(MUF) 사용에 대해 조사하고 있습니다.

Q: 과거에 선호되는 방법은 무엇인가요?
A: 과거에는 열 압축 비전도 필름(Thermal Compression Non-Conductive Film, TC NCF)이 선호되는 방법이었습니다.

Q: MUF 공정은 어떤 이점을 보여주었나요?
A: MUF 공정은 TH NCF에 비해 스루풋 최적화에서 잠재적인 이점을 보여주었습니다.

Q: 삼성은 MUF를 HBM에 대해 어떤 결론을 내리고 있나요?
A: 삼성은 MUF가 고대역폭 메모리(HBM)에는 적합하지 않을 수 있지만, 서버 응용 프로그램에서 사용되는 3DS RDIMM에 최적일 수 있다고 판단하고 있습니다.

Q: MUF란 무엇인가요?
A: MUF는 에폭시 몰딩 컴파운드로, 칩 산업에서 주목받고 있는 기술입니다.

Q: 어떤 기업이 HBM 생산에 성공적으로 MUF를 도입했나요?
A: SK Hynix가 HBM 생산에 성공적으로 MUF를 도입하였습니다.

Q: 삼성은 자체 MUF 컴파운드 개발을 위해 누구와 협력하고 있나요?
A: 삼성은 자체 MUF 컴파운드 개발을 위해 삼성 SDI와 협력하고 있습니다.

Q: 삼성은 HBM 생산에 어떤 언더필 기술을 계속 사용할 것인가요?
A: 삼성은 HBM 생산에 TC NCF를 계속 사용할 것으로 예상됩니다. 이 결정은 Micron과도 공유됩니다.

Q: TC NCF는 무엇을 최소화하는 데 도움이 되나요?
A: TC NCF는 특정 상황에서 웨이퍼 휘어짐을 최소화하는 데 도움이 되는 것으로 알려져 있습니다.

Q: 삼성은 왜 대체 언더필 기술을 탐색하고 있는 건가요?
A: 삼성은 DRAM 개발의 한계를 뛰어넘기 위해 대체 언더필 기술을 탐색하고, 미래 제품의 성능과 효율성을 개선하고자 합니다.

용어 정의:

Thermal Compression Non-Conductive Film (TC NCF): DRAM 제품의 언더필링에 사용되는 과거의 방법으로, 웨이퍼 휘어짐을 최소화하는 데 도움이 됩니다.

Molded Underfill (MUF): 칩 산업에서 주목받는 에폭시 몰딩 컴파운드로, 스루풋 최적화에서 잠재적인 이점을 제공합니다.

3-dimensional stack (3DS) memory: 세 가지 차원으로 쌓인 형태의 메모리로, 저장 용량을 증가시킵니다.

Registered Dual In-Line Memory Modules (RDIMM): 서버 응용 프로그램에서 사용되는 메모리 모듈입니다.

관련 링크:

– 삼성: 삼성의 공식 웹사이트입니다. https://www.samsung.com

– SK Hynix: MUF를 HBM 생산에 성공적으로 도입한 SK Hynix의 공식 웹사이트입니다. https://www.skhynix.com

– Micron: HBM 생산에 TC NCF를 사용하는 Micron의 공식 웹사이트입니다. https://www.micron.com

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