Magas teljesítményű mobil chip előrelépés 3 nm-es technológiával
A Samsung Electronics jelentős lépést tett a félvezetőtechnológiában a legújabb mobil rendszerekbe tervezett rendszerchip (SoC) kezdeti felépítésének befejezésével, az innovatív 3 nm-es kapu minden oldalon (GAA) eljárást alkalmazva. Az eredmény egy határozatlan SoC, amely kitűnő teljesítményképességet kínál, elsősorban azzal az új CPU és GPU architektúrával, amelyeket különböző Synopsys intellektuális tulajdonságok (IP) egészítenek ki.
A tervezés optimalizálásához a Samsung csapata a Synopsys.ai EDA csomagjára támaszkodott. Ez a hatékony szoftver lehetővé teszi a lapozási helyek, útvonalak és ellenőrzések megkönnyítését, ezáltal nagyobb rendszer teljesítményt biztosítva. A csomag kulcsfontosságú eszközei, mint például a DSO.ai és a Fusion Compiler, kulcsfontosságú szerepet játszottak az áramfogyasztás, a teljesítmény és a hatékony helykihasználás (PPA) kulcsfontosságú mutatóinak javításában.
A Smartphone processzorok forradalma a GAAFET technológiával
Ez a sikeres megépítés azt jelzi, hogy a Samsung először alkalmazza 3 nm-es GAAFET technológiáját egy prémium kategóriás okostelefon chipben. Korábban az SF3E eljárást – a Samsung korai 3 nm-es osztályú csomópontját – főként a kriptovaluta bányászati chipjeinek elkészítésére használták, ami sokkal kevésbé igénylő feladat a komplex mobil eszközök működtetésénél.
Az SoC-hoz használt specifikus csomópont részletei jelenleg még titkosak. Az előrelépés azonban arra utal, hogy a Samsung fejlettebb SF3 gyártástechnológiájának potenciális felhasználására mutat rá, amely hamarosan tömeges gyártásra kész lehet.
A Synopsys-szel való együttműködés révén a Samsung sikerrel kezelte a magasabb órajelekhez és az energiahatékonysághoz kapcsolódó kihívásokat. Az innovációk, mint például a tervezési partícionálás optimalizálása és a multi-source órahálózat szintézis, összekapcsolva az okos vezeték optimalizációjával, 300 MHz-es csökkenést eredményeztek a csúcs órajelben és 10%-os csökkentést az áramfogyasztásban.
A Samsung és a Synopsys: Együttműködő partnerség
A Samsung és a Synopsys közötti együttműködés egyedülálló eredményeket ért el. A Samsung Electronics Kijoon Hongja az együtt kezelt célkintszereken alapuló AI-megoldások erejét dicsérte, és azt, hogy együttműködésük képes-e az ambiciózus PPA célok elérésére a GAA eljárás technológiájának felhasználásával. Ez az eredmény jelentős előrelépést jelent az SoC tervezés ultramagas termelékenysége felé, jelezve az okostelefonok hatékonyságának és teljesítményének új korszakát.
Kulcskérdések és válaszok:
– Mi az a 3 nm-es GAA technológia, és mi a különbség az előző technológiákkal szemben?
A 3 nm-es GAA technológia (kapu minden oldalon technológia) a Samsung következő generációját képviseli a félvezető gyártásban, ami a 3 nanométeres technológia csomópontot jelenti a kapu minden oldalon tranzisztor architektúra felhasználásával. Ez különbözik az öreg FinFET technológiától, nagyobb kontrollt biztosít a tranzisztor csatornája felett, és lehetővé teszi a tranzisztorok fizikai méretének további csökkentését, ami magasabb teljesítményt és energiahatékonyságot eredményez.
– Mely lehetséges hatásai vannak a Samsung 3 nm-es technológiájának a mobil eszközpiacra?
A Samsung 3 nm-es technológiája gyorsabb, energiatakarékosabb mobil processzorokhoz vezethet, amelyek jelentősen előre lendíthetik az okostelefonok, tabletek és más mobil eszközök teljesítményét. Emellett új mércét állít a félvezetőiparban versenytársainak.
– Milyen kihívásokkal néznek szembe a cégek a 3 nm-es chippek fejlesztése és gyártása során?
A 3 nm-es chippek fejlesztése és gyártása jelentős mérnöki kihívásokkal jár, mint például a hőelvezetés kezelése, a villamos energia szivárgásának csökkentése, valamint a gyártási képesség és hozamok fenntartása ilyen kis tranzisztor méretekkel.
– Vannak-e ellentmondások a Samsung 3 nm-es technológiába történő beruházásával kapcsolatban?
A megfelelő tudás határidejeig nem voltak jelentős ellentmondások közvetlenül a Samsung 3 nm-es technológiába történő beruházással kapcsolatban. Az ilyen előrelépésekre általában az elektromos és elektronikai hulladékok, fenntarthatóság és az olyan versenytársakra nehezedő nyomás kapcsolódik, akiknek nincsenek ugyanolyan technológiai képességeik.
Kulcskérdések:
– Bonyolult Gyártási Folyamat: A 3 nm-es chippek előállítása rendkívül pontos és bonyolult gyártási módszereket igényel, amelyek költségesek és kihívást jelentenek az implementálás során.
– Hőmenedzsment: Ahogy a processzorok egyre gyorsabbak és hatékonyabbak lesznek, a generált hő kezelése egyre fontosabbá válik, konstrukciós és üzemeltetési kihívásokat jelentve.
Előnyök:
– Növelt Teljesítmény: A 3 nm-es eljárás lehetővé teszi a magasabb órajelű és összességében jobb chip teljesítményt.
– Javított Energiahatékonyság: A 3 nm-es eljárással készített chippeknek jelentősen kisebb az áramfogyasztása, meghosszabbítva a mobil eszközök akkumulátorának élettartamát.
– Kisebb Chip Méret: A tranzisztorok kisebbé való csökkentése lehetővé teszi kompaktabb SoC-kat, ami kulcsfontosságú a mobil eszközök számára, ahol a hely korlátozott.
Hátrányok:
– Magas Költségek: Az R&D és a gyártási költségek a 3 nm-es technológiához igen magasak, ami drága felhasználói termékeket eredményezhet.
– Hozamproblémák: A csúcstechnológiai chippek gyártási folyamata szenvedhet hozamproblémáktól, ami azt jelenti, hogy kezdetben jelentős számú hibás chipet nem lehet eladni.
Kapcsolódó Linkek:
További információért látogasson el a Samsung Electronics főoldalára: Samsung és a Synopsys főoldalára: Synopsys. Ezek a linkek az alap domainekre mutatnak, nem tartalmaznak aloldalakat vagy konkrét cikkeket.
The source of the article is from the blog maltemoney.com.br