שמ unlocking the future: מהפכה פורצת דרך בטכנולוגיית הטרנזיסטור
מחקר פורץ דרך ממרכז טכנולוגיית ה-GaN הלאומי בסינגפור מעצב מחדש את הציפיות במיקרואלקטרוניקה. הצוות החדשני הזה השיג התקדמות מרשימה בתחום הטרנזיסטורים המודרניים של חנקן גאליום (GaN) על סיליקון (Si), וקבע שיא חדש עבור עוצמת פלט רוויה (Psat). העיצוב פורץ הדרך של המבנה