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Desbloqueando el Futuro: ¡Un Avance Revolucionario en la Tecnología de Transistores
La investigación innovadora del Centro Nacional de Tecnología GaN de Singapur está remodelando las expectativas en microelectrónica. Este equipo innovador ha logrado un avance notable en transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) de nitruro de galio (GaN) sobre silicio (Si), estableciendo un