Latest

Unlocking the Future: A Revolutionary Breakthrough in Transistor Technology

Låse op for fremtiden: Et revolutionerende gennembrud inden for transistor teknologi

2024-11-08
Banebrydende forskning fra Singapores Nationale GaN Teknologicenter omformer forventningerne inden for mikroelektronik. Dette innovative team har opnået et bemærkelsesværdigt fremskridt inden for gallium-nitrid (GaN) på silicium (Si) høj-elektron-mobilitetstransistorer (HEMT’er), hvilket sætter en ny rekord for mættet udgangseffekt (Psat). Deres banebrydende dobbelt-heterostruktur (DH)
1 21 22 23 24 25 42