Samsung explore des matériaux avancés pour la technologie DRAM future
Samsung explore apparemment des matériaux avancés pour innover davantage sa technologie de production de DRAM. La prédominance du résist à l’oxyde métallique (MOR) est évidente alors que le conglomérat technologique cherche à appliquer ce matériau de photoresist de nouvelle génération dans son processus de lithographie par ultraviolet extrême (EUV), ciblant spécifiquement les futurs DRAM de 10 nanomètres (nm) de génération 6 de la société, également appelés DRAM 1c.
Qu’est-ce que MOR?
MOR se distingue comme un candidat prometteur pour remplacer la norme actuelle, le résist chimiquement amplifié (CAR), qui est de plus en plus confronté à des défis dans des domaines tels que la résolution, la résistance à la gravure et la régularité des lignes. Les propriétés uniques des photoresists réactifs à la lumière sont essentielles pour inscrire des motifs de circuit fins sur des tranches de silicium, une étape fondamentale dans la fabrication de puces.
Collaboration avec Inpria
Inpria, opérant sous l’égide de JSR, un important fabricant de matériaux japonais, se spécialise dans un photoresist inorganique dérivé de l’étain. Le plan de Samsung inclut potentiellement l’adoption des solutions innovantes d’Inpria pour plusieurs couches de la DRAM 1c. Cette collaboration représente une avancée significative pour la production de dispositifs semi-conducteurs avec une plus grande finesse de circuit.
Exploration de plusieurs fournisseurs
Bien qu’Inpria semble être un fournisseur central, Samsung n’a pas limité ses options. D’autres entreprises, telles que Dupont et Dongjin Semichem, sont également envisagées comme sources de photoresists EUV. Ces alternatives sont actuellement soumises à des phases de test minutieuses.
Tourné vers l’avenir : Resist sec
Lam Research, une autre entité influente dans le domaine des semi-conducteurs, développe ce que l’on appelle le « resist sec », une variante de PR inorganique censée fournir la DRAM 1d, qui devrait voir le jour l’année suivante. Samsung avait initialement envisagé d’utiliser cette méthode pour sa DRAM 1c mais a décidé de reporter son application. Notamment, des leaders de fonderie comme TSMC ont déjà commencé à mettre en œuvre des technologies de resist sec dans leurs processus.
Samsung, conformément à ses protocoles standards, n’a pas publié de déclaration concernant ces développements.
Progrès en photolithographie et matériaux pour la production de DRAM
La mémoire vive dynamique (DRAM) a longtemps été un composant clé des systèmes informatiques, fournissant le stockage temporaire des données nécessaire pour les tâches actives. Avec la demande croissante de hautes performances et d’efficacité énergétique, l’industrie des semi-conducteurs repousse les limites de la technologie DRAM, en particulier grâce aux avancées en matière de matériaux et de photolithographie comme la lithographie EUV (ultraviolet extrême).
Qu’est-ce que la lithographie EUV?
La lithographie EUV est une technologie de prochaine génération pour imprimer des caractéristiques incroyablement petites sur des tranches de silicium, permettant des puces semi-conductrices plus denses et plus puissantes. Elle utilise la lumière avec une longueur d’onde de 13,5 nm pour transférer des motifs complexes d’un photomasque à une tranche de silicium revêtue d’un matériau photosensible appelé photoresist.
Principaux défis de la production avancée de DRAM
L’un des principaux défis dans l’avancement de la technologie DRAM implique de surmonter les limites des techniques de photolithographie traditionnelles, notamment lorsque les fonctionnalités deviennent plus petites que ce que les photoresists actuels peuvent gérer. À mesure que les circuits deviennent plus serrés, il devient plus difficile de maintenir la résolution et la précision du motif souhaitées, tout en traitant des problèmes tels que l’aspérité des bords des lignes et l’effondrement des motifs.
La transition vers de nouveaux matériaux comme le MOR soulève des controverses et des préoccupations concernant l’impact environnemental, la sécurité et le coût du développement et de l’adoption de ces matériaux avancés. De plus, il est essentiel de garantir la compatibilité avec les processus de fabrication existants pour intégrer de manière transparente sans compromettre les performances.
Avantages et inconvénients de MOR
L’utilisation de MOR dans la lithographie EUV offre plusieurs avantages :
1. Résolution améliorée : permet un marquage plus fin nécessaire pour des densités de DRAM plus élevées.
2. Meilleure résistance à la gravure : garantit l’intégrité pendant le processus de gravure, conduisant à des circuits plus précis.
3. Régularité des lignes améliorée : aide à maintenir les performances de la DRAM avec des géométries réduites.
En revanche, les inconvénients associés pourraient inclure :
1. Coût : les nouveaux matériaux comme le MOR sont souvent plus coûteux en raison de la complexité de leur production et des économies d’échelle moins importantes.
2. Intégration du processus : l’incorporation de nouveaux matériaux peut exiger une reconfiguration des processus de fabrication établis.
Implications pour l’industrie des semi-conducteurs
L’adoption de matériaux avancés comme le MOR signifie les efforts continus de l’industrie des semi-conducteurs pour surmonter les limitations physiques de la fabrication traditionnelle de puces. Ainsi, une innovation constante est nécessaire pour soutenir la croissance prédite par la loi de Moore.
Pour plus d’informations sur Samsung et son implication dans l’industrie des semi-conducteurs, veuillez visiter Samsung. Pour un contexte plus large sur les dernières actualités et technologies de l’industrie des semi-conducteurs, SEMI offre des recherches et statistiques sectorielles. De plus, des organisations comme la Société internationale pour l’optique et la photonique (SPIE) proposent des ressources sur la photolithographie et d’autres technologies pertinentes sur SPIE.
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