A Samsung explora materiais avançados para a futura tecnologia de DRAM
A Samsung está aparentemente explorando materiais avançados para inovar ainda mais a sua tecnologia de produção de DRAM. A predominância do resistente de óxido metálico (MOR) é evidente à medida que o conglomerado de tecnologia busca aplicar este material de fotoresiste de próxima geração em seu processo de litografia por ultravioleta extrema (EUV), visando especificamente o próximo DRAM Gen 6 de 10 nanômetros (nm) da empresa, também conhecido como 1c DRAM.
O que é MOR?
O MOR se destaca como um candidato promissor para substituir o padrão atual, resistente amplificado quimicamente (CAR), que enfrenta cada vez mais desafios em áreas como resolução, resistência à gravação e suavidade de linha. As propriedades únicas dos fotoresistes reativos à luz são críticas para inscrever padrões de circuitos precisos em bolachas de silício, um passo fundamental na fabricação de chips.
Colaboração com a Inpria
A Inpria, operando sob o guarda-chuva da JSR, uma grande empresa japonesa de materiais, é especializada em fotoresiste inorgânico derivado de estanho. O plano da Samsung potencialmente inclui a adoção das soluções inovadoras da Inpria para várias camadas do 1c DRAM. Essa colaboração representa um avanço significativo na produção de dispositivos semicondutores com circuitos mais finos.
Explorando Vários Fornecedores
Embora a Inpria pareça ser um fornecedor central, a Samsung não limitou suas opções. Outras empresas, incluindo Dupont e Dongjin Semichem, também estão sendo consideradas como fontes de fotoresistes EUV. Essas alternativas estão atualmente passando por fases de testes meticulosos.
Olhando para o Futuro: Resistente Seco
A Lam Research, outra entidade influente no campo dos semicondutores, vem desenvolvendo o que é conhecido como ‘resistente seco’, uma variante de PR inorgânico esperada para fornecer o 1d DRAM, que será concretizado no próximo ano. A Samsung cogitou inicialmente utilizar esse método para o 1c DRAM, mas resolveu adiar sua aplicação. Notavelmente, líderes em fundição como a TSMC já começaram a implementar tecnologias de resistente seco em seus processos.
A Samsung, seguindo seus protocolos padrão, não emitiu nenhuma declaração sobre esses desenvolvimentos.
Avanços em Fotolitografia e Materiais para a Produção de DRAM
A Memória de Acesso Aleatório Dinâmica (DRAM) tem sido um componente chave dos sistemas de computador, fornecendo o armazenamento temporário de dados necessário para tarefas ativas. Com a demanda por desempenho e eficiência energética mais altos aumentando, a indústria de semicondutores tem estado desafiando os limites da tecnologia de DRAM, especialmente por meio de avanços em materiais e fotolitografia como a litografia EUV (extremo ultravioleta).
O que é Litografia EUV?
A litografia EUV é uma tecnologia de próxima geração para imprimir recursos incrivelmente pequenos em bolachas de silício, permitindo chips semicondutores mais densos e poderosos. Ela utiliza luz com um comprimento de onda de 13,5 nm para transferir padrões intricados de uma máscara fotográfica para uma bolacha de silício revestida com um material fotosensível chamado fotoresiste.
Principais Desafios na Produção Avançada de DRAM
Um dos principais desafios em avançar a tecnologia de DRAM envolve superar os limites das técnicas tradicionais de fotolitografia, especialmente à medida que os recursos encolhem além das capacidades dos fotoresistes atuais. Conforme os circuitos ficam mais apertados, torna-se mais difícil manter a resolução desejada e a precisão de padronização, ao mesmo tempo lidando com problemas como a aspereza da borda da linha e o colapso de padrões.
A transição para novos materiais como MOR levanta controvérsias e preocupações quanto ao impacto ambiental, segurança e custo de desenvolver e adotar esses materiais avançados. Além disso, a compatibilidade com os processos de fabricação existentes deve ser garantida para integrar sem comprometer o desempenho.
Vantagens e Desvantagens do MOR
O uso do MOR na litografia EUV oferece várias vantagens:
1. Resolução Melhorada: Permite a padronização mais fina necessária para densidades de DRAM mais altas.
2. Melhor Resistência à Gravação: Garante integridade durante o processo de gravação, levando a circuitos mais precisos.
3. Suavidade de linha aprimorada: Ajuda a manter o desempenho da DRAM em geometrias pequenas.
Enquanto isso, as desvantagens associadas podem incluir:
1. Custo: Materiais novos como o MOR frequentemente têm um custo mais elevado devido à complexidade de sua produção e às menores economias de escala.
2. Integração de Processos: Incorporar novos materiais pode exigir a reengenharia de processos de fabricação estabelecidos.
Implicações para a Indústria de Semicondutores
A adoção de materiais avançados como o MOR representa os esforços contínuos da indústria de semicondutores para superar as limitações físicas da fabricação de chips tradicional. Como tal, a inovação constante é necessária para sustentar o crescimento previsto pela Lei de Moore.
Para mais informações sobre a Samsung e seu envolvimento na indústria de semicondutores, visite Samsung. Para obter um contexto mais amplo sobre as últimas notícias e tecnologias da indústria de semicondutores, a SEMI fornece pesquisa e estatísticas do setor. Além disso, organizações como a Sociedade Internacional de Óptica e Fotônica (SPIE) em SPIE oferecem recursos sobre fotolitografia e outras tecnologias relevantes.
The source of the article is from the blog radiohotmusic.it