A Samsung explora materiais avançados para futura tecnologia de DRAM
A Samsung está supostamente explorando materiais avançados para inovar ainda mais sua tecnologia de produção de DRAM. A proeminência do resistente de óxido de metal (MOR) é evidente, visto que o conglomerado de tecnologia busca aplicar este material de fotoresistência de próxima geração em seu processo de litografia ultravioleta extrema (EUV), visando especificamente a próxima DRAM Gen 6 de 10 nanômetros (nm) da empresa, também conhecida como 1c DRAM.
O que é o MOR?
O MOR se destaca como um candidato promissor para substituir o padrão atual, resistente amplificado quimicamente (CAR), que está enfrentando desafios crescentes em áreas como resolução, resistência à corrosão e suavidade das linhas. As propriedades únicas de fotoresistência reativas à luz são essenciais para inscrever padrões de circuitos finos em pastilhas de silício, uma etapa fundamental na fabricação de chips.
Colaboração com a Inpria
A Inpria, operando sob o guarda-chuva da JSR, uma importante empresa japonesa de materiais, especializada em fotoresistência inorgânica derivada de estanho. O plano da Samsung potencialmente inclui a adoção das soluções inovadoras da Inpria para múltiplas camadas da 1c DRAM. Essa colaboração representa um avanço significativo na produção de dispositivos semicondutores com circuitaria mais refinada.
Explorando Múltiplos Fornecedores
Embora a Inpria pareça ser um fornecedor central, a Samsung não limitou suas opções. Outras empresas, incluindo Dupont e Dongjin Semichem, também estão sendo consideradas como fontes de fotoresistentes EUV. Essas alternativas estão passando por fases de testes meticulosas no momento.
De olho no futuro: Resistente a Seco
A Lam Research, outra entidade influente no campo dos semicondutores, tem desenvolvido o que é conhecido como ‘resistente a seco’, uma variante de PR inorgânico esperado para abastecer a 1d DRAM, que se concretizará no próximo ano. A Samsung considerou inicialmente utilizar esse método para sua 1c DRAM, mas optou por adiar sua aplicação. Notavelmente, líderes em fundição como a TSMC já começaram a implementar tecnologias de resistente a seco em seus processos.
A Samsung, seguindo seus protocolos padrão, não emitiu declarações sobre esses desenvolvimentos.
Avanços em Fotolitografia e Materiais para Produção de DRAM
A Memória Dinâmica de Acesso Aleatório (DRAM) sempre foi um componente chave dos sistemas de computadores, fornecendo o armazenamento temporário de dados necessário para tarefas ativas. À medida que a demanda por maior desempenho e eficiência energética aumenta, a indústria de semicondutores vem ampliando os limites da tecnologia de DRAM, especialmente por meio de avanços em materiais e fotolitografia como a litografia ultravioleta extrema (EUV).
O que é a Litografia EUV?
A litografia EUV é uma tecnologia de próxima geração para imprimir características incrivelmente pequenas em pastilhas de silício, permitindo chips semicondutores mais densos e poderosos. Ela utiliza luz com um comprimento de onda de 13,5 nm para transferir padrões intricados de uma máscara fotográfica para uma pastilha de silício revestida com um material fotosensível chamado fotoresistente.
Principais Desafios na Produção de DRAM Avançada
Um dos principais desafios no avanço da tecnologia de DRAM envolve superar os limites das técnicas tradicionais de fotolitografia—especialmente à medida que as características diminuem além das capacidades dos fotoresistentes atuais. À medida que os circuitos se tornam mais apertados, torna-se mais difícil manter a resolução desejada e a precisão de padrões, lidando também com problemas como a aspereza das bordas das linhas e o colapso dos padrões.
A transição para novos materiais como o MOR levanta controvérsias e preocupações sobre o impacto ambiental, segurança e custo do desenvolvimento e adoção desses materiais avançados. Além disso, a compatibilidade com os processos de fabricação existentes deve ser assegurada para integrar e aprimorar a integração sem comprometer o desempenho.
Vantagens e Desvantagens do MOR
O uso do MOR na litografia EUV oferece diversas vantagens:
1. Melhoria da Resolução: Permite um padrão mais fino necessário para maiores densidades de DRAM.
2. Maior Resistência à Corrosão: Garante integridade durante o processo de corrosão, levando a circuitos mais precisos.
3. Suavidade das Linhas Aprimorada: Ajuda a manter o desempenho do DRAM em geometrias pequenas.
Enquanto isso, as desvantagens associadas podem incluir:
1. Custo: Materiais inovadores como o MOR muitas vezes têm um custo mais alto devido à complexidade de sua produção e menores economias de escala.
2. Integração de Processos: Incorporar novos materiais pode exigir reformulação dos processos de fabricação estabelecidos.
Implicações para a Indústria de Semicondutores
A adoção de materiais avançados como o MOR sinaliza os esforços contínuos da indústria de semicondutores para superar as limitações físicas da fabricação de chips tradicional. Como tal, a inovação constante é necessária para sustentar o crescimento previsto pela Lei de Moore.
Para mais informações sobre a Samsung e seu envolvimento na indústria de semicondutores, por favor visite Samsung. Para um contexto mais amplo sobre as últimas notícias e tecnologias da indústria de semicondutores, SEMI fornece pesquisas e estatísticas do setor. Além disso, organizações como a Sociedade Internacional de Óptica e Fótonica (SPIE) em SPIE oferecem recursos sobre fotolitografia e outras tecnologias relevantes.
The source of the article is from the blog lisboatv.pt