Samsung posouvá technologii NAND o 33% výkonnostním nárůstem
Samsung nedávno zahájil masovou výrobu své nejnovější technologie ukládání, paměťového flash NAND 9. generace, která slibuje impozantní 33% nárůst výkonu ve srovnání s jejím předchůdcem. Tento nový vývoj potvrzuje vedoucí pozici Samsungu ve flash paměťovém sektoru.
Díky nejmenší velikosti buněk a nejužšímu odlitku v odvětví dosáhl Samsung s novým V-NAND 9. generace 50% vyšší hustoty bitů ve srovnání s 8. generací. Zlepšená technologie zahrnuje snížení interferencí buněk a zvýšenou životnost buněk, faktory, které významně přispívají k kvalitě a spolehlivosti produktu. Navíc odstranění zbytečných kanálových děr výrazně zmenšilo fyzický prostor potřebný pro paměťové buňky.
Šéf oddělení pro flash produkty a technologie ve společnosti Samsung, SungHoi Hur, vyjádřil svůj nadšení z nové paměti a zdůraznil očekávání inovativního V-NAND 9. generace, aby výrazně posunul budoucí aplikace. Samsung si klade za cíl neustále posouvat limity v architektuře a operačních technikách, aby uspokojil rostoucí poptávku po řešeních NAND flash, především klíčové pro nastávající éru umělé inteligence (AI).
Společnost také udělala pokroky v energetické účinnosti a oznámila, že nová generace V-NAND bude spotřebovávat o 10% méně energie díky sofistikovaným nízkovýkonovým designům. Hromadná výroba 1-terabitové trojúrovňové buňky 9. generace V-NAND začala a Samsung plánuje představit modely s čtyřmi úrovněmi buněk později ve druhé polovině roku 2024.
Zlepšený výkon
Nejnovější paměťový V-NAND 9. generace od Samsungu představuje významný pokrok v technologii NAND. S 33% zrychlením je tato nová paměť navržena tak, aby splňovala vysokovýkonnostní požadavky moderních počítačových a elektronických systémů. NAND flash paměť je důležitou součástí mnoha zařízení, jako jsou chytré telefony, tablety, pevné disky (SSD) a servery. Vyšší rychlosti a větší hustota této nové paměti V-NAND mohou vést k rychlejším přenosovým rychlostem dat a více úložištné kapacity ve stejném fyzickém prostoru.
Klíčové otázky a odpovědi
– Co je technologie V-NAND?
V-NAND (Vertikální NAND) je druh flash paměti, kde jsou ukládací buňky uspořádány ve svislých sloupcích, což stojí v kontrastu k tradičnímu planárnímu NAND, kde jsou buňky uspořádány na jedné horizontální rovině. To umožňuje vyšší hustotu a zlepšený výkon.
– Jak se Samsungův V-NAND 9. generace srovnává s předchozími verzemi?
V-NAND 9. generace nabízí 33% zlepšení rychlosti čtení a zápisu oproti 8. generaci a 50% nárůst hustoty bitů.
– Jaké jsou aplikace vysokorychlostní paměti s vysokou hustotou NAND?
Jsou používány ve zařízeních, které vyžadují velké množství úložištné kapacity a rychlé přístupové časy, jako jsou chytré telefony, SSD a systémy spoléhající se na AI a strojové učení.
Klíčové výzvy nebo kontroverze
– Technologická složitost: S každou novou generací V-NAND se výrobní proces stává složitějším, což může vést k výzvám v úrovních výtěžnosti a výrobních nákladech.
– Tržní konkurence: Ostatní společnosti, jako Toshiba a Western Digital, také vyvíjejí své vlastní pokročilé paměťové technologie, což klade tlak na Samsung, aby nadále inovoval a udržoval konkurenceschopné ceny.
– Environmentální dopad: Environmentální dopad výroby vyspělých polovodičových výrobků jako V-NAND je problémem, protože proces typicky spotřebovává významné množství vody a energie.
Výhody a nevýhody
Mezi výhody 9. generace V-NAND patří:
– Zlepšený výkon: Zlepšená rychlost je pro aplikace vyžadující rychlý přístup k datům prospěšná.
– Větší úložná hustota: Více dat lze ukládat ve stejném fyzickém prostoru, což je zásadní pro zařízení s omezenou velikostí.
– Energetická účinnost: Snížení spotřeby energie o 10% činí zařízení využívající tuto technologii přátelštější k životnímu prostředí a může pomoci prodloužit životnost baterie v přenosných elektronických zařízeních.
Mezi nevýhody může patřit:
– Náklady: Novější technologie mohou být zpočátku dražší, což by se mohlo projevit v cenách pro spotřebitele.
– Integrace technologie: Systémy budou muset být navrženy nebo aktualizovány tak, aby plně využily výkon nového V-NAND, což může vyžadovat dodatečné investice ve střednědobém horizontu.
Pro další informace o technologických pokrocích a produktech Samsungu navštivte oficiální webové stránky společnosti Samsung na samsung.com. Upozorňujeme, že poskytnutý odkaz vede na hlavní doménu a ne na podstránku, jak bylo požadováno.
The source of the article is from the blog hashtagsroom.com