Innovative Horizons in AI-Fueled Semiconductor Race

I giganti tecnologici sudcoreani, Samsung Electronics e SK hynix, stanno rinfocolando la loro rivalità tecnologica accelerando lo sviluppo dei semiconduttori di prossima generazione essenziali per le applicazioni di intelligenza artificiale. Al centro di questa corsa industriale c’è una spinta strategica a presentare prodotti all’avanguardia e essere i primi a superare le barriere di mercato.

SK hynix ha preso un forte vantaggio all’inizio dell’anno, con l’avvio della produzione di massa del suo avanzato HBM3E a 8 strati, essendo il primo nella sua categoria. Samsung Electronics ha seguito rapidamente, puntando alla prima metà dell’anno per avviare la propria produzione del servizio comparabile.

Entrambi i rivali dell’industria sono bloccati in un duello intenso per presentare una variante HBM3E a 12 strati. Il recente sviluppo di successo di Samsung promette bene per le sue ambizioni di consegnare il suo prodotto alla importante azienda statunitense di semiconduttori Nvidia entro l’anno. SK hynix non è rimasta indietro, consegnando già prototipi della stessa tecnologia a Nvidia.

Come se la competizione non fosse già abbastanza accesa, entrambi i conglomerati guardano ancora più avanti alla 6a generazione di HBM4, puntando a un obiettivo di produzione di massa nel 2026. Samsung sta preparando un’ampia gamma che include configurazioni HBM4 a 8 strati, 12 strati e 16 strati. D’altra parte, SK hynix ha stretto un’alleanza con la taiwanese TSMC, sfruttando il loro processo logico avanzato per raggiungere i loro obiettivi.

La competizione non finisce qui, poiché entrambe le aziende stanno lottando anche per la supremazia nel settore dei DRAM. Il recente LPDDR5X DRAM di Samsung Electronics stabilisce nuovi record di prestazioni, mentre il controparte di SK hynix rimane strettamente competitiva. Con le tempistiche di produzione stabilite, la pressione è elevata mentre avanzano verso tecnologie DRAM più strette a 10 nanometri.

Sfidando ulteriormente gli attuali leader, Intel, con sede negli Stati Uniti, si tuffa nella mischia, armata di nuovi strumenti di litografia Extreme Ultraviolet ad alta NA della società olandese ASML, pronta a iniziare la produzione di massa con un processo pionieristico a 1,8 nm entro la fine dell’anno.

Nel panorama dei semiconduttori in continua evoluzione, le attuali quote di mercato in DRAM e HBM, come riportato da TrendForce, potrebbero vedere spostamenti drammatici. Con questi giganti alla guida dell’innovazione, la ricerca della supremazia nella tecnologia dei semiconduttori ha raggiunto nuovi livelli di aspettativa.

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