Samsung hat seine bahnbrechenden HBM3e-Speichermodule vorgestellt und setzt damit einen bedeutenden Meilenstein in der Branche. Das Unternehmen hat erfolgreich seine neuen 12-Hi 36GB HBM3e-Speicherstapel entwickelt und setzt damit einen neuen Standard in Bezug auf Kapazität und Leistung. Mit dieser bemerkenswerten Leistung steht Samsung an der Spitze des Marktes für hochkapazitive HBM-Technologie in der AI-Ära.
Die neueste Ergänzung des Speicherproduktsortiments von Samsung, mit dem Codenamen Shinebolt, vereint 12 x 24Gb Speicherbausteine auf einem Logikchip mit einer 1024-Bit-Schnittstelle. Diese 36GB HBM3e-Speichermodule arbeiten mit einer beeindruckenden Übertragungsrate von 10GT/s und bieten eine außergewöhnliche Speicherbandbreite von bis zu 1,28TB/s pro Stapel. Damit setzen sie einen neuen Maßstab für die Speicherbandbreite pro Baustein in der Branche.
Yongcheol Bae, der Executive Vice President für Memory Product Planning bei Samsung Electronics, betonte die Bedeutung dieser Innovation: „Die Anbieter von KI-Diensten in der Branche verlangen zunehmend nach höherer Kapazität bei HBM-Speichern, und unser neues HBM3e 12H-Produkt ist genau darauf ausgerichtet. Im Rahmen unseres Engagements für die Entwicklung von hochmodernen Technologien für hochstapelige HBM-Speicher streben wir an, den Markt für hochkapazitive HBM-Module in der AI-Ära anzuführen.“
Samsung hat in seine Shinebolt 12-Hi 36GB HBM3e-Speichermodule mehrere fortschrittliche Technologien integriert. Diese Speicherprodukte verwenden Samsungs hochmoderne Fertigungstechnologie der 4. Generation mit 10nm-Class (14nm), bei der extrem ultraviolette (EUV) Lithographie zum Einsatz kommt. Das Unternehmen hat außerdem seine thermische Kompressions-Non-Conductive-Film (TC NCF) Technologie eingesetzt, um den kleinsten Abstand zwischen Speicherbausteinen in der Branche zu erreichen, der nur sieben Mikrometer (7 µm) beträgt. Durch die Verkleinerung der Abstände zwischen den DRAMs hat Samsung die vertikale Dichte erhöht und die Verformung der Chips minimiert.
Die Einführung der 12-Hi 36GB HBM3e-Speichermodule wird voraussichtlich den AI-Trainingsprozess revolutionieren und eine signifikante Durchschnittsgeschwindigkeitssteigerung von bis zu 34% bieten. Darüber hinaus ermöglicht sie eine sensationelle 11,5-fache Steigerung der Anzahl gleichzeitiger Benutzer für Inferenzdienste. Allerdings wurden keine weiteren Details zur Größe der LLM vom Unternehmen bereitgestellt.
Samsung hat bereits damit begonnen, die neuen 12-Hi 36GB HBM3e-Speichermodule an Kunden zu liefern und plant, die Massenproduktion in der ersten Hälfte des Jahres 2024 zu starten. Diese bahnbrechende Technologie wird den Markt für hochkapazitive HBM-Module neu gestalten und Samsungs Position als führendes Unternehmen im Bereich innovativer Speicherlösungen festigen.
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